特許

J-GLOBAL ID：200903096893983336

窒化物半導体素子

発明者： 福田 芳克 ,  藤岡 陽
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006964
公開番号（公開出願番号）：特開2004-112002
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】 リーク電流が低くかつ静電耐圧の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 それぞれ複数の窒化物半導体層からなるp側層とn側層の間に窒化物半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子において、p側層はオーミック電極を形成する層としてp型コンタクト層を含み、そのp型コンタクト層はp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とが交互に積層されてなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

それぞれ複数の窒化物半導体層からなるp側層とn側層の間に窒化物半導体からなる活性層を有する窒化物半導体素子であって、 前記p側層はpオーミック電極を形成する層としてp型コンタクト層を含み、該p型コンタクト層はp型窒化物半導体層とn型窒化物半導体層とが交互に積層されてなり、 前記p型コンタクト層と上記活性層の間に、p-AlGaNからなる第1層とp-InGaNもしくはp-GaNからなる第2層とを交互に形成してなる超格子p型層をさらに有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271605   出願人：株式会社東芝