特許
J-GLOBAL ID：200903093825403748
化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101142
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値、低電圧、高発光効率で動作し、熱抵抗が低く長寿命かつ信頼性の高い発光ダイオードやレーザを開発する。【解決手段】 電流狭窄構造レーザダイオードにおいて、コンタクト層11をAlGaNとGaNの超格子構造を用いることによりコンタクト層11を薄膜化し、低電圧かつ低しきい値で動作する半導体発光素子を実現する。
請求項（抜粋）：
IS(inner stripe)構造またはSBR(selectively buriedridge waveguide)構造等の埋め込み型レーザダイオードにおいて、コンタクト層が超格子構造からなることを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 677
5F041AA08
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA99
, 5F041CB02
, 5F041FF16
, 5F073AA09
, 5F073AA21
, 5F073AA71
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073EA07
, 5F073EA23
