特許

J-GLOBAL ID：200903096896606541

半導体装置の製造方法

発明者： 都築 康明 ,  榊原 利夫 ,  福井 章人 ,  杉坂 貴是
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217725
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049294
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 バリアメタルがアンダーカットされてしまうことを防止し、ステップカバレッジを良好にする。【解決手段】 開口部5c内を含むAl膜5上にフォトレジスト23を堆積すると共に、該フォトレジスト23のうち開口部5c内に堆積した部分を除去して、開口部5cよりも小さな開口部23aを形成する。そして、この開口部23aよりエッチングを行い、バリアメタル4を除去する。このように、開口部5cよりも内側の開口部23aを通じてエッチングを行うことにより、Al膜5の開口端よりも内側からバリアメタル4をエッチングできるため、Al膜5の下側に位置するバリアメタル4のアンダーカットを防止することができる。これにより、ステップカバレッジを良好にできる。

請求項（抜粋）：

薄膜抵抗材料(2)、バリアメタル材料(4)及び電極材料(5)を順に基板(1)に配置し、パターニングした前記電極材料(5)に基づいて前記バリアメタル材料(4)をエッチングして、前記薄膜抵抗材料(2)による薄膜抵抗体を確定すると共に、該薄膜抵抗体の電極取り出し位置にバリアメタルを配置するようになした薄膜抵抗体の製造方法において、前記電極材料(5)のパターニング時に該電極材料(5)を露出させるマスク開口幅より、前記バリアメタル材料(4)のエッチング時に該バリアメタル材料(4)を露出させるマスク開口幅の方を小さくしたことを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 21/90 B

Fターム (14件)：

5F033AA04 ,  5F033AA13 ,  5F033BA12 ,  5F033CA07 ,  5F033DA05 ,  5F033DA16 ,  5F033DA26 ,  5F033EA05 ,  5F038AR07 ,  5F038AR08 ,  5F038AR16 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293975   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭61-280620
  
• 特開昭61-280620