特許

J-GLOBAL ID：200903096897271225

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196498
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079516
出願日： 1997年07月07日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【目的】CMOS構造を有する半導体装置において、精密なしきい値電圧の制御を行うための技術を提供する。【構成】 CMOS回路を作製するにあたって、ゲイト絶縁膜を形成する前の段階で、Pチャネル型半導体装置の活性層に対してP型を付与する不純物元素を添加する。その後、活性層に対して熱酸化処理を施すことで、不純物元素を再分布させ、活性層の主表面における不純物元素の濃度を微量なものとする。その微量な不純物元素によって、精密なしきい値電圧の制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成されたNチャネル型半導体装置およびPチャネル型半導体装置とを相補的に組み合わせたCMOS構造を有する半導体装置において、前記Pチャネル型半導体装置の活性層のみには、少なくともチャネル形成領域を含む一部の領域においてP型を付与する不純物元素が意図的に添加されており、前記不純物元素の深さ方向の濃度分布は、前記活性層の主表面近傍において前記主表面に向かって連続的に減少し、前記主表面近傍に残存する前記不純物元素がしきい値電圧の制御に利用されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 613 A ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-237571
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347712   出願人：三菱電機株式会社