特許

J-GLOBAL ID：200903096897577405

多層金属ショットキー性電極

発明者： 堀 恭子 ,  葛原 正明 ,  恩田 和彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224538
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055517
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体との相互反応のない電極を提供する。T字状の電極を形成する際に上層と下層の金属層の密着性が損なわれることのないようにする。【構成】 GaAsショットキーコンタクト層11上に、膜厚10nmのモリブデン層12、膜厚20nmのチタン層13、さらに膜厚420nmのアルミニウム層14を順次蒸着し、例えばリフトオフ法によりパターンニングする。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体を用いた電界効果トランジスタの多層金属ショットキー性電極であって、半導体層上に、モリブデン(Mo)層を下層としチタン(Ti)層を上層とする積層膜が1乃至複数層が形成され、その上に良導電性金属層が形成されていることを特徴とする多層金属ショットキー性電極。

IPC (4件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/48 M ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/80 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-319974
  
• 特開平2-226770
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-231158   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭54-127280