特許
J-GLOBAL ID：200903096917144020
高精細シングルイオン抽出方法及び該方法を適用した高精細シングルイオン注入装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187323
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015059
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、従来のチョッピング法よりも高い照準精度が実現でき、ナノメートル領域に注入可能な、高精細シングルイオン抽出方法及び該方法を適用した高精細シングルイオン注入装置及び方法を提供することにある。【構成】 主要な構成は、集束イオンビーム(FIB)と前記集束イオンビームよりシングルイオンを抽出するシングルイオン抽出用アパチャーと、前記シングルイオン抽出用アパチャーにパルス電圧を印加する電源手段とからなり、前記パルス電圧によって前記シングルイオン抽出用アパチャーに電界を印加し、静電的に開閉することによって、シングルイオンを抽出する方法及び集束イオンビーム(FIB)装置の標準的な構成要素に対して上記シングルイオン抽出方法に基づくシングルイオン注入用の構成要素を加えた高精細シングルイオン注入装置及び方法としての構成を有する。
請求項（抜粋）：
集束イオンビーム(FIB)と、前記集束イオンビーム(FIB)よりシングルイオンを抽出するシングルイオン抽出用アパチャーと、前記シングルイオン抽出用アパチャーにパルス電圧を印加する電源手段とからなる構成において、前記シングルイオン抽出用アパチャーは、印加される前記パルス電圧によって、電界制御的に前記シングルイオン抽出用アパチャー内のイオン流通過領域に広がるポテンシャル分布が制御されて、イオン流の通過を阻止したり、シングルイオンを抽出することを特徴とする高精細シングルイオン抽出方法。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01J 37/05
, H01J 37/09
, H01L 21/265
H01J 37/317 D
, H01J 37/317 Z
, H01J 37/05
, H01J 37/09 Z
, H01L 21/265 603 B
5C033AA01
, 5C033BB01
, 5C033BB02
, 5C034CC17
, 5C034CD07
, 5C034DD06
