特許

J-GLOBAL ID：200903096929580900

SiC薄膜の形成方法

発明者： 木内 正人 ,  松谷 貴臣 ,  阿川 義昭
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社アルバック
代理人 (1件)： 打揚 洋次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272009
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073806
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 低温で、簡単かつ再現性良くSiC薄膜を形成する方法の提供。【解決手段】 材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴンのイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に300eV以下で照射し、300°C以下でSiC薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

成膜チャンバーに真空排気系、ガス導入系、質量分離機構を有しないイオンビーム照射装置が設けられたSiC薄膜形成装置を用いて、該チャンバー内に設置された基板上にSiC薄膜を形成する方法であって、有機ケイ素を気化せしめて得た材料ガスを該チャンバー内へ供給し、該材料ガスを該基板上に吹き付け、一方、該イオンビーム照射装置によりプラズマ生成用ガスのイオンビームを発生させ、このイオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に該基板上に照射し、300°C以下でSiC薄膜を形成することを特徴とするSiC薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/06 ,  B01J 19/08 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/42

FI (4件)：

C23C 14/06 E ,  B01J 19/08 H ,  C23C 14/32 F ,  C23C 16/42

Fターム (26件)：

4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BC01 ,  4G075BD14 ,  4G075CA05 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA57 ,  4G075CA62 ,  4K029BA56 ,  4K029BC02 ,  4K029BD01 ,  4K029BD04 ,  4K029CA04 ,  4K029CA13 ,  4K029DD05 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030FA12 ,  4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高分子基材へのプラズマCVDによるSiC薄膜形成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-288156   出願人：スズキ株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-237765   出願人：神港精機株式会社
• 特開平2-082616
  
• 特開平2-082616