半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中澤昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121641
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】非常に薄く、かつ、実装用のボード等との接続が良好な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、裏面側に凹状のキャビティ1aが形成された基板1と、その基板1のキャビティ1aの底部に設けられた配線2と、その配線2の電極とフェイスダウンして電気的に接続された半導体チップ3と、基板1のキャビティ1a内に挿入され半導体チップ3の周囲を封止する封止樹脂4と、基板1の側面に設けられ、配線2と電気的に接続された外部接続電極5と、を有し、基板1、半導体チップ3、封止樹脂4及び外部接続電極5からなる略平坦状の裏面を備えている。

請求項（抜粋）：

裏面側に凹状のキャビティが形成された基板と、その基板のキャビティの底部に設けられた配線と、その配線の電極とフェイスダウンして電気的に接続された半導体チップと、前記基板のキャビティ内に挿入され前記半導体チップの周囲を封止する封止樹脂と、前記配線と電気的に接続された外部接続電極と、を有し、前記半導体チップ、封止樹脂及び外部接続電極を含む略平坦状の裏面を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H01L 25/00

FI (3件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 311 S , H01L 25/00 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-202970 出願人：シチズン時計株式会社
特開平4-346250

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