特許
J-GLOBAL ID：200903096943928536

エレクトロルミネッセンス物質および装置

発明者：
カサーガマナザン,プーパティ

カサーガマナザン,プーパティ について

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カンダップ,ヴィジェンドラ

カンダップ,ヴィジェンドラ について

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ガネシャムルガン,サブラマニアム

ガネシャムルガン,サブラマニアム について

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パラマスワラ,グナナモリー

パラマスワラ,グナナモリー について


出願人/特許権者：
エラム-ティー リミテッド

エラム-ティー リミテッド について


代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-563368
公開番号（公開出願番号）：特表2006-512755
出願日： 2003年12月23日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
改良されたエレクトロルミネッセンスデバイスが、第一のエレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体の層、ならびに、第二の金属錯体もしくは有機金属錯体の層を持ち、前記の第二のエレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体中の金属のバンドギャップが、前記の第一のエレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体中の金属のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(i) 第一電極、(ii) 第一エレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体の層、(iii) 第二金属錯体もしくは有機金属錯体の層、および(iv) 第二電極を含むエレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記第二エレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体のバンドギャップが、前記第一エレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする、エレクトロルミネッセンスデバイス。
IPC (4件)：
H01L 51/50 ,  C09K 11/06 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/28
FI (7件)：
H05B33/14 B ,  C09K11/06 660 ,  C09K11/06 690 ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/28
Fターム (9件)：
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB00 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007DC04 ,  3K007FA01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)

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