特許
J-GLOBAL ID：200903033050959555

エレクトロルミネセント材料

発明者：
カシルガマナサン,プーパシー

カシルガマナサン,プーパシー について


出願人/特許権者：
サウス バンク ユニバーシティ エンタープライジーズ リミテッド

サウス バンク ユニバーシティ エンタープライジーズ リミテッド について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-503979
公開番号（公開出願番号）：特表2002-505701
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：
【要約】高い光ルミネセント収率を有するエレクトロルミネセントデバイスは、1層のエレクトロルミネセント材料が形成される透明導電性基板を包含し、エレクトロルミネセント材料は希土類金属、アクチニド、または25%より大きい光ルミネセント収率(PL)を有する遷移金属有機錯体である。
請求項（抜粋）：
1.エレクトロルミネセントデバイスであって:1層の光ルミネセント材料が形成される透明基板を包含し、該ルミネセント材料が希土類金属、アクチニド、または25%より大きい光ルミネセント収率(PL)を有する遷移金属有機錯体である、デバイス。2.エレクトロルミネセントデバイスであって:1層の光ルミネセント材料が形成される透明基板を包含し、該ルミネセント材料が希土類金属、アクチニド、または40%より大きい光ルミネセント収率(PL)を有する遷移金属有機錯体である、デバイス。3.前記エレクトロルミネセント材料が式X(Y1)(Y2)(Y3)の金属錯体であり、Xが希土類、遷移金属、状熊IIIのランタニドまたはアクチニドであり、そしてY1、Y2、Y3が同じかまたは異なる有機リガンドである、請求項1または2に記載のエレクトロルミネセントデバイス。4.前記エレクトロルミネセント材料が式X(Y1)(Y2)の金属錯体であり、Xが希土類、遷移金属、状態IIのランタニドまたはアクチニドであり、そしてY1、Y2、Y3が同じかまたは異なる有機リガンドである、請求項3に記載のエレクトロルミネセントデバイス。5.前記エレクトロルミネセント材料が式X(Y1)(Y2)(Y3)(Y4)の金属錯体であり、Xが希土類、遷移金属、状態IIIのランタニドまたはアクチニドであり、そしてY1、Y2、Y3、Y4が同じかまたは異なる有機リガンドである、請求項3に記載のエレクトロルミネセントデバイス。6.前記金属がSm(III)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Eu(II)、Gd(III)、U(III)、UO2(VI)およびTh(III)から選択される、請求項1〜5のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。7.前記リガンドの三重項状態が前記金属イオンの共鳴振動数より0.6 eVを越えない、請求項1〜6のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。8.前記リガンドの三重項状態が前記金属イオンの共鳴振動数より0.4 eVを越えない、請求項1〜6のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。9.前記リガンドが以下の式を有し、ここでR'が分子の異なる部分において同じであるかまたは異なっており、かつ各々のR''およびR'が置換もしくは未置換の芳香族複素環構造またはヒドロカルビルまたはフルオロカーボンであるか、あるいはR''がフッ素もしくは水素であるか、あるいはR''がモノマー(monomer e.g.)と共重合されるか、あるいはR'がt-ブチルであり、かつR''が水素である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。10.前記エレクトロルミネセント材料が(a)テルビウム(III)(ジピバトイルメチド)3、(b)ジ-およびトリ-ピラゾリルボレートならびに(a)のジ-およびトリ-ピラゾリル-N-オキシドボレート付加体、(C)ユーロピウム(III)(2-ナフチルトリフルオロアセチルアセトネート)、または(d)ウラニル(2-ナフチルトリフルオロアセチルアセトネートもしくは(C)および(d)のジピリジルおよびジピリジルN-オギシド付加体である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。11.前記透明基板上に堆積された正孔伝達層が存在し、前記エレクトロルミネセント材料が該正孔伝達層上に堆積される、請求項1〜10のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。12.前記エレクトロルミネセント材料と混合された正孔伝達材料が存在し95〜5%の該正孔伝達化合物に対して該エレクトロルミネセント材料の比率が5〜95%である、請求項1〜11のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。13.前記正孔伝達層が芳香族アミン錯体である、請求項11または12に記載のエレクトロルミネセントデバイス。14.前記正孔伝達層がポリ(ビニルカルバゾール)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン(TPD)またはポリアニリンである、請求項13に記載のエレクトロルミネセントデバイス。15.前記エレクトロルミネセント材料と接触する金属アノードが存在する、請求項1〜14のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。16.カソードと前記エレクトロルミネセント材料層との間に1層の電子注入材料が存在する、請求項1〜15のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。17.前記電子注入材料が前記エレクトロルミネセント材料と混合され、そして該エレクトロルミネセント材料と共堆積(co-deposit)される、請求項1〜16のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。18.前記電子注入材料が金属錯体またはオキサジアゾールまたはオキサジアゾール誘導体である、請求項16または17に記載のエレクトロルミネセントデバイス。19.前記電子注入材料がアルミニウムキノレートまたは2-(4-ビフェニル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4オキサジアゾールである、請求項18に記載のエレクトロルミネセントデバイス。20.前記透明基板が前記カソードとして作用する導電性ガラスまたはプラステイック材料である、前述の請求項のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。21.前記基板がインジウムスズ酸化物被覆ガラスである、請求項20に記載のエレクトロルミネセントデバイス。22.前記アノードが金属である、前述の請求項のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。23.前記アノードがアルミニウム、マグネシウム、リチウム、カルシウムまたはマグネシウム銀合金である、請求項22に記載のエレクトロルミネセントデバイス。24.複数の層のエレクトロルミネセント材料が存在する、前述の請求項のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。25.エレクトロルミネセントの前記層が2つ以上の異なるエレクトロルミネセント化合物から形成される、前述の請求項のいずれか1項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。26.Xが希土類、遷移金属、状態IIIのランタニドまたはアクチニドであり、そしてY1、Y2、Y3が同じかまたは異なる有機リガンドであり、その少なくとも1つがであり、ここで、R'が分子の異なる部分において同一であるかまたは異なっており、かつ各々のR''およびR'が置換もしくは未置換の芳香族複素環構造またはヒドロカルビルまたはフルオロカーボンであるか、あるいはR''がフッ素もしくは水素であるか、あるいはR''がモノマー(monomer e.g.)と共重合されるか、あるいはR'がt-ブチルであり、かつR''が水素であり、そしてここでXが希土類、遷移金属、ランタニドまたはアクチニドである、式X(Y1)(Y2)(Y3)のエレクトロルミネセント金属錯体。27.Xが希土類、遷移金属、状態IIのランタニドまたはアクチニドである、式X(Y1)(Y2)の請求項26に記載のエレクトロルミネセント金属錯体。28.Xが希土類、遷移金属、状態IIIのランタニドまたはアクチニドである、式X(Y1)(Y2)(Y3)(Y4)の請求項26に記載のエレクトロルミネセント金属錯体。29.前記金属がSm(III)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Eu(11)、Gd(III)、U(III)、UO2(VI)およびTh(III)から選択される、請求項26〜28のいずれか1項に記載の錯体。30.式X(Y1)(Y2)(Y3)のエレクトロルミネセント金属錯体であって:Xが希土類、遷移金属、状態IIIのランタニドまたはアクチニドであり、そしてY1、Y2、Y3が同一のまたは異なる有機リガンドであり、その少なくとも1つがであり、ここでRが分子の異なる部分において同一であるかまたは異なっており、各々のRが水素、ヒドロカルビル、アルコキシ、フッ素、ニトリル、フルオロカーボン、フェニル、置換されたフェニル、またはフェノキシ部位である、錯体。31.前記金属がSm(III)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、Gd(III)U(III)、およびTh(III)から選択される、請求項30に記載の錯体。
IPC (3件)：
C09K 11/06 660 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (5件)：
C09K 11/06 660 ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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