特許

J-GLOBAL ID：200903096957937953

光電変換装置およびその製造方法

発明者： 菅原 信 ,  白間 英樹 ,  旗手 淳雄 ,  古茂田 晶子 ,  有宗 久雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-398181
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159168
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 従来の結晶質半導体粒子を用いた光電変換装置の製造方法では低変換効率、低生産性であった。 【解決手段】 下部電極となる基板1上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体部4が形成されている多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子3の一部領域でそれぞれ接合されているとともに、基板1と半導体部4とが分離された状態で配置されており、隣り合う結晶質半導体粒子3間に基板1上および半導体部4の下部を覆い、かつ半導体部4の上部を露出させて絶縁体2が形成され、絶縁体2および半導体部4の上部を覆って上部電極5が形成されていることより、半導体部4による上部電極5と下部電極となる基板1との短絡を確実かつ簡易に抑えることができるため、変換効率が高く生産性のよい光電変換装置となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下部電極となる基板上に、表面に一部領域を除いて他方導電型の半導体部が形成されている多数個の一方導電型の結晶質半導体粒子が前記一部領域でそれぞれ接合されているとともに、前記基板と前記半導体部とが分離された状態で配置されており、隣り合う前記結晶質半導体粒子間に前記基板上および前記半導体部の下部を覆い、かつ前記半導体部の上部を露出させて絶縁体が形成され、前記絶縁体および前記半導体部の前記上部を覆って上部電極が形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (9件)：

5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第2641800号公報
  
• 特開平3-228379号公報
  

審査官引用 (2件)

• 太陽電池の製造方法および太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-185011   出願人：株式会社三井ハイテック
• 太陽電池の製造方法及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-040512   出願人：株式会社三井ハイテック