表示素子基板用半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-317342
公開番号（公開出願番号）：特開平7-146491
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】表示素子基板用半導体装置に設けられる付加容量の大容量化を図る。【構成】表示素子基板用半導体装置は絶縁基板4を用いて構成されており、その上にはマトリクス状に配列した画素電極1、個々の画素電極を駆動するスイッチング素子2及び各画素電極1に対応する付加容量3とが集積形成されている。スイッチング素子2が形成された下層領域と、画素電極1が形成された上層領域との間に平坦化層5からなる中層領域が介在している。付加容量3は、平坦化層5に設けられたトレンチ6内に形成されている。付加容量3は第一金属電極膜7、誘電体膜8及び第二金属電極膜9からなる積層構造を有している。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配列した画素電極、個々の画素電極を駆動するスイッチング素子及び各画素電極に対応する付加容量とが絶縁基板上に集積形成された表示素子基板用半導体装置において、該スイッチング素子が形成された下層領域と、該画素電極が形成された上層領域との間に平坦化層からなる中層領域が介在しており、前記付加容量は、該中層領域に形成されている事を特徴とする表示素子基板用半導体装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-326330
特開平3-288824
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186685 出願人：ソニー株式会社

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