特許

J-GLOBAL ID：200903096975473824

半導体装置

発明者： 鳥羽 進
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053222
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】外部導出用の主回路端子について、軽量化,直材費の低減化と併せ、該端子に内部接続するアルミニウムワイヤとのボンディング性の信頼性向上を図る。【解決手段】パワー半導体素子2aを含む回路組立体2を収容した外囲樹脂ケース1の上面周域に主回路端子を引出し、ケース内で前記主回路端子と回路組立体との間をアルミニウムのボンディングワイヤ8で内部接続した半導体装置において、主回路端子を、銅材に比べて軽量,安価で、かつアルミワイヤとのボンディング性に優れたアルミニウムを素材としたアルミ製端子4Aとし、かつ該主回路端子の少なくとも外部導出部にニッケルめっき4A-1をを施す。

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子を含む回路組立体を収容した外囲樹脂ケースの上面周域に主回路端子を引出し、ケース内で前記主回路端子と回路組立体との間をワイヤボンディング,もしくは半田付けして内部接続した半導体装置において、主回路端子をアルミニウム製としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/28 K

Fターム (9件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA02 ,  4M109DB02 ,  4M109DB10 ,  4M109EE08 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05 ,  4M109GA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• インバータ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002538   出願人：株式会社日立製作所, 日立京葉エンジニアリング株式会社
• 特開昭60-097651