特許
J-GLOBAL ID：200903097002255960

配線パターンの形成方法

発明者：
中田 好和

中田 好和 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022737
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【構成】 フォトレジスト膜12に回路配線パターン形状の溝部15を形成する工程と、溝部15に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペースト16を充填する工程と、導体ペースト16が充填されたフォトレジスト膜12を導体ペースト16の充填を行った面がアルミナ基板17に接するようにアルミナ基板17表面に接着させる工程と、前記工程でフォトレジスト膜12が接着されたアルミナ基板17を、大気中フォトレジスト膜12及び導体ペースト16中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する工程と、前記工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、焼結する工程とを含んでいる配線パターンの形成方法。【効果】 容易な操作、かつ低コストにて基板上に該基板との接着性及び導電性等の特性に優れた銅の微細配線を高精度に形成することができ、セラミックス回路基板のマルチチップ化、高密度実装化に対応することができる。
請求項（抜粋）：
フォトレジスト膜に、基板上に形成しようとする回路配線と同じパターンを有する溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に銅粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含む導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、該導体ペーストが充填された前記フォトレジスト膜を前記導体ペーストの充填を行った面が基板に接するように基板表面に接着させる接着工程と、該接着工程で前記フォトレジスト膜が接着された基板を、大気中にて、前記フォトレジスト膜及び前記導体ペースト中の樹脂が分解、消失する温度以上に加熱する熱処理工程と、該熱処理工程で酸化された酸化銅粉末を銅に還元し、かつ焼結させる還元焼成工程とを含んでいることを特徴とする配線パターンの形成方法。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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