成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-334404
公開番号（公開出願番号）：特開2003-137521
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】大面積の基板にカーボンナノチューブを成膜する。【解決手段】真空槽11内部に基板17を搬入し、試料ステージ16とターゲット19との間に交流電圧を印加し、まずターゲット19をスパッタリングさせて基板17の表面に、触媒材料であるターゲット材料からなる薄膜を成膜させ、その後真空槽11内部を原料ガスと置換し、触媒材料の薄膜表面に、カーボンナノチューブの薄膜を成長させている。このため、一つの真空槽11を用いて、基板17上に、触媒材料の薄膜と、カーボンナノチューブの薄膜との両方を成膜することができる。また、試料ステージ16とターゲット19の面積を大きくするだけで、大面積の基板表面にもカーボンナノチューブを成膜することができる。

請求項（抜粋）：

真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記ターゲットと対向して前記真空槽内に配置された基板ホルダとを用い、基板を前記基板ホルダに保持させ、真空雰囲気にされた前記真空槽の内部に炭素原子を含む原料ガスを導入して、前記基板の表面にカーボンナノチューブを成膜する成膜方法であって、前記ターゲットをスパッタリングさせた後、前記原料ガス雰囲気にされた前記真空槽の内部の、前記ターゲットと前記基板ホルダとの間に交流電圧を印加する成膜方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 101 , B82B 3/00 , C23C 14/34 , C23C 16/26

FI (4件)：

C01B 31/02 101 F , B82B 3/00 , C23C 14/34 M , C23C 16/26

Fターム (16件)：

4G046CA01 , 4G046CA02 , 4G046CB00 , 4G046CB03 , 4G046CC06 , 4K029AA09 , 4K029BA12 , 4K029BB02 , 4K029CA05 , 4K029DC35 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030BB13 , 4K030CA06 , 4K030FA03

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