半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146998
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340329
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】低誘電率層間膜を用いたスルーホール、配線溝のエッチング工程において、レジストマスクを剥離するための酸素プラズマ、あるいは堆積物を除去する際の有機隔離処理液によって低誘電率層間膜が劣化される。【解決手段】低誘電率層間膜(HSQ膜)105上にシリコン窒化膜106を形成し、このシリコン窒化膜106をレジストマスク107でパターニングし、レジストマスク107を酸素プラズマで剥離した後に、シリコン窒化膜106をマスクとしてHSQ膜105をエッチングする。また、堆積物が発生する前にHSQ膜105の表面をCVD酸化膜で被覆し、その後に発生した堆積物を有機剥離液で除去する。HSQ膜105に酸素プラズマ、有機剥離液が接触されることがなく、HSQ膜105の特性の劣化が防止される。HSQ本来の低誘電率を保持し、配線の層間容量を低くでき、デバイスの高速化が可能となるとともに、膜中の水分も抑制できるため、電流リークも抑制でき、腐食も抑制できる。

請求項（抜粋）：

下層の導電膜上に形成された低誘電率層間膜に前記下層の導電膜を露呈する開口を選択的にエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記低誘電率層間膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを用いて前記シリコン窒化膜を選択的にエッチングして開口窓を形成する工程と、前記レジストマスクを剥離する工程と、前記シリコン窒化膜の前記開口窓を通して前記低誘電率層間膜を選択的にエッチングして前記下層の導電膜を露呈する開口を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-150342
特開平3-104260
特開平2-142162

全件表示

前のページに戻る