特許

J-GLOBAL ID：200903097028908503

低誘電率材料およびCVDによる処理方法

発明者： マーク レオナルド オニール ,  ブライアン キース ピーターソン ,  ジーン ルイス ビンセント ,  レイモンド ニコラス バーティス
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149738
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007699
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 低い誘電率および改良された機械的性質、熱的安定性および耐薬品性を有する薄膜材料を提供する。【解決手段】 好適な膜は式SivOwCxHyFz(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、yは10〜50原子%、xは2〜30原子%、およびzは0.1〜15原子%)で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない。CVD法は、(a)真空チャンバ内に基板を用意すること;(b)フッ素を供給するガス、酸素を供給するガス、ならびにオルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つの前駆体ガスを含むガス状試薬を真空チャンバに導入すること;ならびに(c)該チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加えてガス状試薬の反応を引き起こさせ、そして基板上に膜を形成させること、を含む。

請求項（抜粋）：

式SivOwCxHyFz(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、yは10〜50原子%、xは2〜30原子%、およびzは0.1〜15原子%)で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない、膜。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/42

Fターム (23件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA12 ,  4K030JA16 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フッ素含有シリコーン樹脂およびその製造方法、フッ素含有シリコーン樹脂組成物、フッ素含有塗布ガラス膜の形成方法および該膜のパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342248   出願人：沖電気工業株式会社