表面処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066106
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226775
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
要約：

【要約】【課題】高速且つ高品質に表面処理が可能な表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置(1) のケーシング(2) はプラズマ発生電極(5,6) を備えたプラズマ発生室(3) と、基板支持台(9) を備えた基板処理室(4) との二室に画成されている。前記両室(3,4) の隔壁を構成するアノード電極(6) にはプラズマ吹出口(7) が形成されている。上方のカソード電極(5) は凹部(5a)が形成されている。更に前記プラズマ吹出口(7) をホローアノード放電の発生域とし、前記凹部(5a)をホローカソード放電の発生域としている。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生手段、原料ガス導入口、及び基板支持台を備えたケーシング内に、前記プラズマ発生手段によりプラズマを発生させて原料ガスをプラズマ化し、前記基板支持台上に載置された基板表面をプラズマ処理する表面処理装置であって、前記ケーシングは、前記プラズマ発生手段を備えたプラズマ発生室と前記基板支持台を備えた基板処理室との二室に画成され、前記基板処理室と前記プラズマ発生室とが一以上のプラズマ吹出口を介して連通されてなり、少なくとも一の前記プラズマ吹出口がホロー放電の発生域とされてなることを特徴とする表面処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/509 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/509 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

Fターム (43件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB04 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030HA06 , 4K030JA03 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 4K030LA16 , 4K057DA16 , 4K057DB02 , 4K057DB06 , 4K057DD01 , 4K057DK03 , 4K057DM04 , 4K057DM08 , 4K057DM40 , 4K057DN02 , 5F004BA06 , 5F004BB13 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045CA13 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EF01 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH13

引用特許：

審査官引用 (5件)

表面処理装置および表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-101424 出願人：株式会社小松製作所
特開昭64-004481
特開平2-159380

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