特許
J-GLOBAL ID：200903097046844199
コンタクトホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-198532
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045668
出願日： 1995年08月03日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト底面のダメージ層を除去する際、コンタクトホール底端部にサイドエッチング部が発生せず、しかも、別途、レジスト灰化手段を必要としないケミカルドライエッチング方法を提供する。【構成】 半導体基板1表面上に形成した絶縁膜2を、さらにその上に形成したレジスト3をマスクとして選択的にドライエッチングして、前記絶縁膜2にコンタクトホール4を形成した後、さらに酸素ガスに対するフッ化炭素ガスの体積流量比率を0.8以上から2.0以下の混合比率で混合した混合ガスを用いてケミカルドライエッチングを行なう。【効果】 コンタクトホール底端部にサイドエッチング部を形成させないためバリアメタルの断線を防止し、その結果、アロイピットの発生から生じる接合リークをなくすことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面上に形成された絶縁膜に、ドライエッチングにより、前記絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成した後、酸素ガスに対するフッ化炭素ガスの体積流量比率を0.8以上から2.0以下の混合比率で混合した混合ガスを用いてケミカルドライエッチングを行なうことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
H01L 21/302 F
, H01L 21/28 L
