LED発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋元輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341772
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190051
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】従来例のLED発光素子においては、P電極が素子の発光側の面に設けられていたので、素子からの発光を遮るものとなり、これにより発光量が低減する問題点を生じていた。【解決手段】本発明により、PN接合面3はエピタキシャル成長面2a上に設けた絶縁層6に開口部を設けて拡散を行うことでエピタキシャル成長面2aに選択的に形成し、このPN接合面2a上にP電極4を設けると共に、エピタキシャル成長面のPN接合面が形成されていない部分にN電極5が設けられているLED発光素子1としたことで、P電極とN電極とが共にエピタキシャル成長面に形成され、これにより、PN接合面から放射される光をエピタキシャル成長面を除く5面から透明絶縁膜7を透過して外部に放出されるものとして課題を解決する。

請求項（抜粋）：

基板のエピタキシャル成長面に拡散を行いPN接合面を形成し、該PN接合面に対して駆動電力を供給するためのP電極およびN電極が設けられて成るLED発光素子において、前記PN接合面は前記エピタキシャル成長面上に設けた絶縁層に開口部を設けて拡散を行うことで前記エピタキシャル成長面に選択的に形成し、このPN接合面上にP電極を設けると共に、前記エピタキシャル成長面のPN接合面が形成されていない部分にN電極が設けられていることを特徴とするLED発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 33/00 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭49-112578
特開昭51-045987
特開平2-290084

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