半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-004373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211730
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】素子特性が均一で高性能、かつ回路設計が容易な、半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】半導体基板上に積層された第一の半導体層と、第一の半導体層に接する第二の半導体層と、第二の半導体層上に積層された第三の半導体層を有し、第二の半導体層と第三の半導体層の一部に開口部を持ち、開口部に、第一の半導体層に接する制御電極を持つ半導体装置において、第一の半導体層の特定のエッチング液に対するエッチング速度が、第二の半導体層に比べて著しく遅い材料により構成し、第三の半導体層を選択性ドライエッチングにより除去し、第二の半導体層を選択性ウエットエッチングによりエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層された第一の半導体層と、前記第一の半導体層に接する第二の半導体層と、前記第二の半導体層上に積層された第三の半導体層を有し、前記第二の半導体層と前記第三の半導体層の一部に開口部を持ち、前記開口部に、前記第一の半導体層に接する制御電極を持つ半導体装置において、前記第一の半導体層の特定のエッチング液に対するエッチング速度が、前記第二の半導体層に比べて著しく遅い材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/306 , H01L 29/778

FI (4件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/306 B , H01L 21/306 S , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-029465
特開昭61-099380
化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-260329 出願人：沖電気工業株式会社

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