特許
J-GLOBAL ID：200903097109708142
結晶シリコン製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333706
公開番号（公開出願番号）：特開2002-145608
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：
【要約】【課題】 固体シリコンの溶融時間の短縮化を図ること。【解決手段】 包囲炉6の内面には熱反射膜51が設けられている。熱反射膜51は、包囲炉6内の熱の反射率を高める一方、輻射率を下げるためのものであって、シリコン融液3の冷却時、包囲炉6の下部から上方へ冷却する必要があることから、少なくとも包囲炉6の天板部の内面全面に設けられる他、側板部の上半分の内面にも設けられ、しかも冷却効率を低下させないよう、側板部の下半分の内面や底板部に設けないことが望ましい。
請求項（抜粋）：
チャンバー内に、シリコン融液を収容するルツボと、そのルツボを載置する載置台と、ルツボおよび載置台を包囲する包囲炉と、ルツボ内に収容した固体シリコンを加熱してシリコン融液を生成する加熱部とを備えた結晶シリコン製造装置において、包囲炉の内面に包囲炉内の熱反射率を高める熱反射膜が設けられていることを特徴とする結晶シリコン製造装置。
Fターム (9件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG04
, 4G072HH01
, 4G072LL03
, 4G072MM38
, 4G072NN01
, 4G072UU02
