特許
J-GLOBAL ID：200903097110036344
光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340936
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229254
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 InP半導体基板上にAlGaInAs系材料の多重量子井戸構造が形成された光半導体装置に関し、良好な温度特性を実現するデバイス構造のAlGaInAs/InP系の光半導体装置を提供する。【解決手段】 InP半導体基板10上にAlGaInAs系材料の多重量子井戸構造22が形成された光半導体装置である。多重量子井戸構造22は、PL波長が1.0μm以下の障壁層と、4.5nm以下の膜厚の活性層とを交互に積層して構成する。活性層には0.5%以上の圧縮歪みが加わっている。これにより、良好な温度特性のAlGaInAs/InP系の光半導体装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
InP半導体基板上にAlGaInAs系材料の多重量子井戸構造が形成された光半導体装置において、前記多重量子井戸構造は、PL波長が1.0μm以下の障壁層と、4.5nm以下の膜厚の活性層とを交互に積層して構成され、前記活性層に0.5%以上の圧縮歪みが加わっていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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