特許

J-GLOBAL ID：200903097135212031

SOI半導体集積回路

発明者： 大友 祐輔 ,  西坂 美香
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253995
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077370
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 SOI半導体集積回路に発生するクロストークノイズを低減する。【解決手段】 トランジスタ130とトランジスタ140との間の埋め込み絶縁膜102上に、シリコン基板101より高い濃度で不純物が導入された所定の導電型のシリコン活性層105を備える。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成された埋め込み絶縁膜と、この埋め込み絶縁膜上に選択的に形成された第1のシリコン島と、前記埋め込み絶縁膜上に前記第1のシリコン島とは離間して選択的に形成された第2のシリコン島と、前記第1のシリコン島に形成された第1のトランジスタと、前記第2のシリコン島に形成された第2のトランジスタと、前記第1のシリコン島と前記第2のシリコン島の間の前記埋め込み絶縁膜上に、前記第1のシリコン島および前記第2のシリコン島とは離間して配置され、前記シリコン基板より不純物濃度の高いシリコンからなるシリコン活性層とを備え、前記シリコン活性層は電位が固定されていることを特徴とするSOI半導体集積回路。

FI (3件)：

H01L 29/78 623 Z ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 621

Fターム (10件)：

5F110AA21 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD22 ,  5F110GG02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN62 ,  5F110NN63

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-175140   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開昭61-276352
  
• 特開昭61-276352