特許
J-GLOBAL ID：200903097136204962

半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置

発明者：
有田 潔

有田 潔 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-014567
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265902
出願日： 2003年01月23日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ6をプラズマによって個片に分割するプラズマダイシングにおいて、活性層41を覆って形成されたSiO2 層42および保護層43を、ウェハ基部層40をエッチングして切断する第1のプラズマダイシング工程においてエッチングレートのばらつきを吸収するためのエッチングストップ層として利用し、次いで第1のプラズマダイシング工程により露呈したエッチングストップ層を、高エッチングレートでエッチング可能な第2のプラズマ発生用ガスのプラズマを用いて切断する第2のプラズマダイシング工程を行い、保護シート30がプラズマに長時間曝されることによる熱ダメージを防止する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
シリコンを主材質とし複数の半導体素子が第1の面に形成された半導体ウェハをプラズマダイシングによって切断して半導体素子の個片毎に分割された半導体装置を得る半導体装置の製造方法であって、 前記第1の面側であって半導体ウェハを前記個片に区分して設定された切断線に相当する位置に、フッ素系のガスを含んだ混合ガスである第1のプラズマ発生用ガスを用いたプラズマによるエッチングレートが前記第1のプラズマ発生用ガスを用いたプラズマによるシリコンを対象としたエッチングレートよりも低い材質を含んだエッチングストップ層を形成する工程と、前記第1の面に剥離可能な保護シートを貼付け、前記第1の面の反対側の第2の面に前記切断線を定めるマスクを形成する工程と、前記第2の面側より前記第1のプラズマ発生用ガスのプラズマを用いてシリコンをエッチングする第1のプラズマダイシング工程と、前記第1のプラズマダイシング工程により露呈した前記エッチングストップ層を前記第1のプラズマ発生用ガスのプラズマよりも高いエッチングレートでエッチング可能な第2のプラズマ発生用ガスのプラズマを用いてエッチングする第2のプラズマダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/301
FI (2件)：
H01L21/302 301S ,  H01L21/78 S
Fターム (20件)：
5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA07 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB16 ,  5F004EA23 ,  5F004EB08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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