特許
J-GLOBAL ID：200903097144770381

基板処理装置

発明者：
松本 尚樹

松本 尚樹 について

, 
水野 謙和

水野 謙和 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-250478
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081324
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】位置により温度差があっても処理室内を良好にクリーニングすることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、処理炉202と、ウエハ200を加熱するヒータ207と、処理炉202内にガスを導入する第1のノズル233aと、ウエハ200に膜を形成するための処理ガスを処理炉202内に供給する第1ガス供給ライン232aと、処理炉202内を排気する排気路231とを備え、第1のノズル233aより処理炉202内にNF3ガスを供給する第1のクリーニングガス供給ライン260aと、第1のクリーニングガス供給ライン260aのガス噴出口よりもガス噴出口が低温部に開口しF2ガスを導入する第2のノズル233bと、F2ガスを処理炉202内に供給する第2のクリーニングガス供給ライン260bとを有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板を収容する処理室と、 前記基板を加熱する加熱手段と、 前記処理室内に所望のガスを導入する第1のノズルと、 前記第1のノズルを介して前記基板の表面に所望の膜を形成するための処理ガスを前記処理室内に供給する処理ガス供給ラインと、 前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、 を備え、 前記第1のノズルを介して前記処理室内に第1のクリーニングガスを供給する第1のクリーニングガス供給ラインと、 前記第1のノズルに形成されたガス噴出口よりもガス噴出口が低温部に開口し、前記処理室内に前記第1のクリーニングガスとは異なる第2のクリーニングガスを導入する第2のノズルと、 前記第2のノズルを介して前記処理室内に前記第2のクリーニングガスを供給する第2のクリーニングガス供給ラインと、 を有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J
Fターム (34件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB10 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE19 ,  5F045EF01 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF09 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240327   出願人：国際電気株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-096063   出願人：株式会社日立国際電気

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