特許

J-GLOBAL ID：200903097159089281

平面表示装置

発明者： 高原 博司
出願人/特許権者： 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
代理人 (5件)： 蔦田 璋子 ,  蔦田 正人 ,  中村 哲士 ,  富田 克幸 ,  夫 世進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-194436
公開番号（公開出願番号）：特開2007-011152
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】特性のバラツキがなく精度よく画像取込みを行うことができる平面表示装置提供する。【構成】ホトセンサ処理回路は、(1)ホトセンサ画素27においてプリチャージ電圧供給線からプリチャージ電圧を印加すると共に、第3TFT64cがオン状態のときに、第2TFT64bのオン/オフ状態によって変化するホトセンサ信号出力線の電位をホトセンサ信号として読み取り、(2)処理ブロック毎にオン状態、または、オフ状態のホトセンサ64の数をカウントし、カウントした数によって処理ブロック881におけるホトセンサ64がオン状態、または、オフ状態であるかを判断する。【選択図】 図25

請求項（抜粋）：

アレイ基板上に互いに直交して配置される複数本の信号線及び第1ゲート信号線と、 前記信号線と前記第1ゲート信号線との交点近傍に設けられた表示用スイッチング素子と、この表示用スイッチング素子に接続された画素電極とを含む表示画素と、 前記信号線に映像信号を供給すると共に前記第1ゲート信号線にゲート信号を供給して映像を表示する表示用制御手段と、 を有する平面表示装置において、 前記アレイ基板上に複数のホトセンサ画素がマトリックス状に設けられ、 前記各ホトセンサ画素からのホトセンサ信号を読み取るホトセンサ処理手段が設けられ、 前記ホトセンサ画素は、 前記第1ゲート信号線と平行に配された第2ゲート信号線からの第2ゲート信号によってオン/オフする第1スイッチング素子と、 前記第1スイッチング素子がオン状態のときに、前記信号線と平行に配されたプリチャージ電圧供給線から所定のプリチャージ電圧が印加されて電荷が蓄積されるコンデンサと、 前記コンデンサにより蓄積された電荷を光の強弱に応じて光リーク量を変化させて放電するホトセンサと、 前記コンデンサからの放電電圧に基づいてオン/オフする第2スイッチング素子と、 前記第1ゲート信号線と平行に配された第3ゲート信号線からの第3ゲート信号によって、前記第2スイッチング素子とホトセンサ信号出力線との間をオン/オフする第3スイッチング素子と、 を有し、 前記マトリックス状に配された複数のホトセンサ画素で一つの処理ブロックを構成し、 前記ブロックが前記アレイ基板上に複数設けられ、 前記ホトセンサ処理手段は、 (1)前記プリチャージ電圧供給線から前記プリチャージ電圧を印加すると共に、前記第3スイッチング素子がオン状態のときに、前記第2スイッチング素子のオン/オフ状態によって変化する前記ホトセンサ信号出力線の電位をホトセンサ信号として読み取り、 (2)前記処理ブロック毎にオン状態、または、オフ状態の前記ホトセンサの数をカウントし、前記カウントした数によって前記処理ブロックにおける前記ホトセンサがオン状態、または、オフ状態であるかを判断する ことを特徴とする平面表示装置。

IPC (8件)：

G09G 3/36 ,  G09G 3/20 ,  G02F 1/133 ,  H01L 27/146 ,  G06F 3/041 ,  G06F 3/033 ,  H04N 1/028 ,  H04N 5/335

FI (13件)：

G09G3/36 ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 691E ,  G09G3/20 691B ,  G09G3/20 633L ,  G09G3/20 611H ,  G02F1/133 530 ,  G02F1/133 550 ,  H01L27/14 C ,  G06F3/041 330E ,  G06F3/033 310Y ,  H04N1/028 Z ,  H04N5/335 W

Fターム (96件)：

2H093NA16 ,  2H093NC09 ,  2H093NC11 ,  2H093NC34 ,  2H093NC35 ,  2H093NC40 ,  2H093NC49 ,  2H093NC55 ,  2H093NC73 ,  2H093ND31 ,  2H093ND60 ,  2H093NG20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118DB09 ,  4M118DD10 ,  4M118DD11 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FC02 ,  4M118GC08 ,  5B087AA06 ,  5B087AB02 ,  5B087CC02 ,  5B087CC05 ,  5B087CC13 ,  5B087CC14 ,  5B087CC15 ,  5B087CC26 ,  5B087CC33 ,  5C006AA09 ,  5C006AA22 ,  5C006AF42 ,  5C006AF43 ,  5C006AF51 ,  5C006AF53 ,  5C006AF63 ,  5C006AF78 ,  5C006BB16 ,  5C006BB29 ,  5C006BC07 ,  5C006BC22 ,  5C006BC23 ,  5C006BF03 ,  5C006BF07 ,  5C006BF14 ,  5C006BF22 ,  5C006BF24 ,  5C006BF25 ,  5C006BF39 ,  5C006BF42 ,  5C006EA01 ,  5C006EC05 ,  5C006FA20 ,  5C006FA25 ,  5C006FA59 ,  5C024CY50 ,  5C024EX52 ,  5C024GY31 ,  5C024HX12 ,  5C024HX29 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40 ,  5C051AA01 ,  5C051BA04 ,  5C051DA06 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DB14 ,  5C051DB15 ,  5C051DB18 ,  5C051DC02 ,  5C051DC03 ,  5C051DC07 ,  5C051DE01 ,  5C080AA10 ,  5C080BB06 ,  5C080CC03 ,  5C080DD04 ,  5C080DD09 ,  5C080DD13 ,  5C080DD21 ,  5C080EE27 ,  5C080FF11 ,  5C080GG06 ,  5C080JJ01 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-019635   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• MOS型センサおよびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-156111   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所