テープキャリアパッケージ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116141
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306943
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】ファインピッチ化が進んで、インナリード強度は10g以下に弱くなってくると、インナリードに外力が加わるとすぐに断線するようになり、テープキャリアパッケージの生産ができなくなっていた。【解決手段】インナリード3とバンプ4とのインナリードボンド工程の際に、バンプ4のシリコンチップ1端部側のエッジとデバイスホール8のエッジ部との距離が、バンプ4のシリコンチップ1端部側のエッジからシリコンチップ1端部までの距離及び、デバイスホール8の一の辺の長さとデバイスホール8の一の辺と平行なシリコンチップ1の一の辺の長さとの差の1/2及び、キャリアテープ2の熱膨張量とシリコンチップ1の熱膨張量との差の合計値となるように、キャリアテープ2に形成されたインナリード3表面とバンプ4に接合したインナリード3表面との間にオフセットを設けた。

請求項（抜粋）：

矩形のデバイスホールが形成されたキャリアテープ上に、上記デバイスホールに突出するようにインナリードが形成され、該インナリードと矩形の半導体チップに形成されたバンプとが接続され、該半導体チップと上記インナリードとの全体を樹脂封止したテープキャリアパッケージであって、上記キャリアテープに形成されたインナリード表面と上記バンプに接合したインナリード表面との間の樹脂封止後のオフセット量X1が以下の式X1≧(2/3)×{(L+(D-Cs)/2+A)2-(L+(D-Cs)/2)2}1/2(Aはキャリアテープの熱膨張量と半導体チップの熱膨張量との差、Dはデバイスホールサイズ、Csは半導体チップサイズ、Lは半導体チップエッジからバンプの半導体チップエッジ側のエッジまでの距離を示す。)で表されることを特徴とするテープキャリアパッケージ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/60 311 W

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-218934
特開平2-082632
特開平1-191435

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審査官引用 (6件)

特開平4-218934
特開平2-082632
特開平1-191435

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