半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125744
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315663
出願日： 1999年05月06日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】配線密度の高い領域と低い領域が混在している半導体基板上に形成された配線溝に金属配線を埋め込むための金属メッキ膜をパターン依存性なく表面が平坦に形成される半導体装置の金属配線を形成する方法を提供する。【解決手段】最初の第1のステップでは、コンタクト孔密集部(高密度配線領域)の埋め込み性を重視して、コンタクト孔底部から成長するような形状で成膜させる。この形状でコンタクト孔密集部がフラットな形状になるまで成膜させ、フラットな形状を検知19してから、第2のステップとして、これ以降は配線溝の側壁部、底部上の平坦部の成長が速い状態で所望の膜厚まで成膜させる。この方法により、下地パターンに依存性しない表面が均一な金属メッキ膜18を得ることができる。形状を検知する際には、金属メッキ膜を成膜中に膜表面の反射率の変化により形状を検知する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜表面に複数の配線溝を形成し、この配線溝の所定の箇所に前記絶縁膜より下層に形成された下層金属配線の表面もしくは前記半導体基板表面に達するコンタクト孔を形成する工程と、前記配線溝及びコンタクト孔内部を含む前記絶縁膜表面にシード層を形成する工程と、電気メッキにより前記シード層上に金属メッキ膜を堆積させる工程と、前記絶縁膜の前記配線溝及びコンタクト孔内部以外の領域に堆積している金属メッキ膜を除去する工程とを備え、前記電気メッキ工程は、配線溝密度が高く配線溝幅の小さい第1の領域に堆積された前記金属メッキ膜の表面が平坦化されたときにその成長条件を変える第1のステップと、前記成長条件を変えてから配線溝密度が前記第1の領域より低く配線溝幅が前記第1の領域より大きい第2の領域の前記金属メッキ膜の表面が平坦化されるまで電気メッキを行う第2のステップからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/288 , C25D 7/12 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/288 E , C25D 7/12 , H01L 21/88 K , H01L 21/90 A

Fターム (49件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA05 , 4K024DA10 , 4K024DB07 , 4K024GA02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD52 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (1件)

微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-249456 出願人：株式会社荏原製作所, 荏原ユージライト株式会社

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