コンタクトホールの形成方法、これを用いた回路基板及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-304423
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124150
出願日： 2006年11月09日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【課題】針などを用いた物理的なコンタクトホールの形成において導通不良の生じ難いコンタクトホールの形成方法、この方法を使用した回路基板、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に電極又は配線としてパターン化された第1の導電層を形成する第1工程と、基板及び第1の導電層上に絶縁層を形成する第2工程と、電極又は配線上の絶縁層に対して当該絶縁層の面から上方に5度乃至80度の範囲内の角度で切削具を挿入する第3工程と、切削具を上記絶縁層から引き抜いて当該絶縁層に電極又は配線に至る傾斜した開口部を形成する第4工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に電極又は配線としてパターン化された第1の導電層を形成する第1工程と、前記基板及び前記第1の導電層上に絶縁層を形成する第2工程と、前記電極又は配線上の前記絶縁層に対して当該絶縁層の面から上方に5度乃至80度の範囲内の角度で切削具を挿入する第3工程と、前記切削具を前記絶縁層から引き抜いて当該絶縁層に前記電極又は配線に至る傾斜した開口部を形成する第4工程と、を含むコンタクトホールの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 23/522 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L21/90 A , H01L21/28 L , H01L21/90 S , H01L21/90 Q , H01L29/78 617J

Fターム (45件)：

4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104GG08 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033JJ07 , 5F033JJ13 , 5F033KK08 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ37 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033SS21 , 5F033VV15 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE36 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN27 , 5F110NN36

引用特許：

出願人引用 (1件)

コンタクトホールの形成方法、回路基板の製造方法、及び、電気光学装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-218872 出願人：セイコーエプソン株式会社

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