特許
J-GLOBAL ID:200903097179626020
半導体装置とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
原田 洋平
, 森本 義弘
, 笹原 敏司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-128963
公開番号(公開出願番号):特開2009-277949
出願日: 2008年05月16日
公開日(公表日): 2009年11月26日
要約:
【課題】半導体素子裏面とダイパット間が剥離することがなく、放熱性の低下や剥離に伴う抵抗の増大による特性劣化を防止することができ、良好な歩留まりで高信頼性の半導体装置を安定して得ることができる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】ダイパット2上に複数の半導体素子を並べて実装したものを1つのパッケージに樹脂封止してマルチ化を図る場合に、半導体素子41が厚み2μm以上15μm以下の半田61でダイパット2に実装され、残りの半導体素子42は銀ペーストなどのエポキシ樹脂からなるダイスボンド材62でダイパット2に実装される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
高放熱性が必要で、1つのダイパット上に裏面の電位を同一とする複数の半導体素子が実装されて樹脂封止された半導体装置であって、
前記複数の半導体素子のうち1つは厚み15μm以下の半田で前記ダイパットに実装され、
残りは樹脂組成物を含有する半導体用接着剤で前記ダイパットに実装されている
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 21/52
, H01L 23/50
, H01L 25/07
FI (4件):
H01L25/04 Z
, H01L21/52 D
, H01L23/50 U
, H01L25/04 C
Fターム (20件):
5F047AA11
, 5F047BA05
, 5F047BA19
, 5F047BA23
, 5F047BA34
, 5F047BA53
, 5F047BB01
, 5F047BB19
, 5F047BC02
, 5F047BC07
, 5F047BC12
, 5F067AA03
, 5F067AB01
, 5F067BD01
, 5F067BE04
, 5F067BE05
, 5F067CA03
, 5F067CA04
, 5F067CA07
, 5F067CB08
引用特許:
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