特許
J-GLOBAL ID:200903097194432428
固体電解コンデンサの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-310856
公開番号(公開出願番号):特開平9-148193
出願日: 1995年11月29日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 ポリアニリン、またはその誘導体を固体電解質とする信頼性の高い固体電解コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、陽極となる皮膜形成金属の表面に、陽極酸化によって形成された酸化皮膜を誘電体として、誘電体に形成されたポリアニリン、またはその誘導体を含む層を陰極の一部とし、陰極の引き出しは、はんだなどを介して表面実装端子に導き出される固体電解コンデンサの製造方法において、酸化剤にペルオキソ二硫酸塩を使用してアニリン、またはその誘導体を固体電解コンデンサの酸化皮膜上において重合させ前記固体電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成する際、遷移金属イオンを導入してアニリン、またはその誘導体の重合を行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。
請求項(抜粋):
陽極となる皮膜形成金属の表面に、陽極酸化によって形成された酸化皮膜を誘電体として、誘電体に形成されたポリアニリン、またはその誘導体を含む層を陰極の一部とし、陰極の引き出しは、はんだなどを介して表面実装端子に導き出される固体電解コンデンサの製造方法において、酸化剤にペルオキソ二硫酸塩を使用してアニリン、またはその誘導体をプロトン酸の存在下、固体電解コンデンサの酸化皮膜上において重合させ前記固体電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成する際、遷移金属イオンを導入してアニリン、またはその誘導体の重合を行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
IPC (2件):
H01G 9/028
, C08G 73/02 NTC
FI (2件):
H01G 9/02 331 H
, C08G 73/02 NTC
引用特許:
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