特許

J-GLOBAL ID：200903097197057636

エラー検出および訂正を有する半導体メモリ装置

発明者： 菊地 修一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-510566
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501000
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】複数のブロックに分割されたメモリ領域を有し、各ブロックは書き込み回数が制限されている半導体メモリ(2)と、この半導体メモリからデータを読み出し、ブロック毎に読み出しデータのエラーチェックを行い、訂正可能なエラーを訂正するメモリ制御部(7)とにより構成され、メモリ制御部は、ブロック毎に訂正可能なエラーを検出した回数をカウントし、このエラー検出回数が規定値に達したときに当該ブロックのデータを予備ブロックに移すと共に当該ブロックを寿命近いとしてその再利用を禁止する処置をする手段を含む半導体メモリ装置。

請求項（抜粋）：

予備ブロックを含む複数のブロックに分割されたメモリ領域を有し、各ブロックは書き込み回数が制限されている半導体メモリと、 前記半導体メモリからデータを読み出し、前記ブロック毎に読み出しデータのエラーチェックを行い、訂正可能なエラーを訂正するメモリ制御部と、 により構成され、 前記メモリ制御部は、ブロック毎に訂正可能なエラーを検出した回数をカウントし、このエラ一検出回数が規定値に達したときに当該ブロックのデータを前記予備ブロックに移すと共に当該ブロックの再利用を禁止する処理を施す手段を含む、 半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G06F 12/16 310 ,  G06F 11/16 310

FI (2件)：

G06F 12/16 310 P ,  G06F 11/16 310 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-013835   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社