特許
J-GLOBAL ID:200903097205520235
臨界寸法を制御する方法と装置
発明者:
出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
志賀 正武 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-199560
公開番号(公開出願番号):特開2001-044096
出願日: 1999年07月13日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 データベースを利用し、テストウェハーの反射率を測定するだけで、全ロットのウェハーに対するフォトリソグラフィーを実施できるようにする。【解決手段】 臨界寸法と反射率との関係をデータベースとして構築してコンピューターに保存しておき、フォトリソグラフィーを行う時に、ロット全体のウェハーの中から1枚をテストウェハーとして取り出して、テストウェハーの反射率を測定し、その測定値をコンピューターに入力して、コンピュータープログラムにより対応する臨界寸法を算出するとともに、その臨界寸法に対応する最適な露光エネルギー量をデータベースから探し出して、ロット全体のウェハーに対して最適な露光エネルギー量でフォトリソグラフィーを行う。
請求項(抜粋):
異なる露光エネルギー量における反射率ならびに臨界寸法の関係についてのデータベースを構築するステップと、1ロットのウェハーから1枚のテストウェハーを取り出して、このテストウェハーの反射率を測定するステップと、前記テストウェハーの反射率および前記データベースを対照するステップと、臨界寸法を前記反射率により設定し、前記テストウェハーから得られた反射率を前記データベースに照合して、最適な露光エネルギー量を探し出し、前記ロットのウェハーに対するフォトリソグラフィー工程を実施するステップと、を具備する臨界寸法を制御する方法。
IPC (2件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
FI (2件):
H01L 21/30 516 D
, G03F 7/20 521
Fターム (5件):
5F046AA18
, 5F046DA02
, 5F046DB01
, 5F046DB05
, 5F046DB11
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開平2-231706
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特開昭63-284811
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特開昭63-143816
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-106214
出願人:株式会社ニコン
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特開平4-056209
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特開平2-231706
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特開昭63-284811
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特開昭63-143816
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特開平4-056209
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