特許
J-GLOBAL ID:200903097258610554

アクティブマトリックスパネルおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-246165
公開番号(公開出願番号):特開平8-110528
出願日: 1994年10月12日
公開日(公表日): 1996年04月30日
要約:
【要約】【目的】製造中にゲートラインの端子部分に導通不良が発生するのを防いで製造歩留を向上させることができるアクティブマトリックスパネルを提供する。【構成】ゲートライン11の端子部11aの上に、画素電極2と同じ透明導電膜からなる端子部被覆膜15を設け、その上に端子電極14を形成した。
請求項(抜粋):
アクティブマトリックス型液晶表示素子に用いるアクティブマトリックスパネルであって、基板上に、透明導電膜からなる複数の画素電極と、これら画素電極にそれぞれ対応する複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタにゲート信号およびデータ信号を供給するゲートラインおよびデータラインとを設けてなり、かつ、前記ゲートラインは前記基板上に配線されて前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜で覆われ、前記データラインは前記薄膜トランジスタおよびゲート絶縁膜の上に設けた層間絶縁膜の上に配線されて前記層間絶縁膜に形成されたコンタクト孔において前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続され、前記画素電極は前記ゲート絶縁膜の上に形成されて前記薄膜トランジスタのソース電極に接続されており、前記ゲート絶縁膜には前記ゲートラインの端子部をその周縁部を除いて露出させる開口が形成されるとともに、前記端子部の上に前記画素電極と同じ透明導電膜からなる端子部被覆膜が設けられており、この導電性被膜の上に、前記データラインと同じ金属膜からなる端子電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリックスパネル。
IPC (2件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345
引用特許:
審査官引用 (4件)
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