特許
J-GLOBAL ID：200903097266664264
化合物半導体用不純物原料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178006
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037820
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体のp型不純物としてカーボンをドーピングする際に、拡散係数が比較的小さく、且つそのドーピング量の制御が行い易い不純物原料を提供する。【構成】 炭素Cに4つの基が結合されて成り、その4つの基の解離エネルギーが350kJ未満である材料とする。
請求項（抜粋）：
炭素Cに4つの基が結合されて成り、上記4つの基の解離エネルギーが350kJ未満であることを特徴とする化合物半導体用不純物原料。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
