特許
J-GLOBAL ID：200903097271479947

シリコン基板の異方性エッチング方法及び太陽電池の製造方法

発明者：
キム ハンミン

キム ハンミン について

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澁谷 宗裕

澁谷 宗裕 について

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吉田 哲久

吉田 哲久 について

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北川 雅俊

北川 雅俊 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139440
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313128
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 ClF3ガスを用いて半導体シリコン系材料のエッチングを大気圧で行い、基板表面に異方性の短形・ピラミット状の構造を形成し、続いて同一の反応室にPOCl3ガスまたはBCl3ガスで拡散することにより良質の太陽電池をつくる。【解決手段】 ClF3ガスボンベ11を流量計12に接続し、石英管の炉13にテフロン配管する。石英管の炉13にシリコン基板14をいれ、大気圧でClF3ガスを炉に導入し、エッチングを行う。
請求項（抜粋）：
少なくともClF3、XeF2、BrF3、BrF5のいずれかを含むエッチングガスを、基板温度がClF3、BrF3、BrF5に対しては130°C以下、XeF2に対しては250°Cに保たれた、大気圧の反応室に導入し、面方位(111)のSi基板表面にピラミット状のエッチピット、面方位(100)のSi基板表面には短形のエッチピットを形成することを特徴とするシリコン基板の異方性エッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L 31/04 M ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/302 P
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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