特許

J-GLOBAL ID：200903097290281252

半導体記憶装置

発明者： 松長 誠之 ,  舛岡 富士雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235702
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097307
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 雑音を抑圧することにより、信号電荷により発生する電圧差が小さくても動作するEEPROMを提供すること。【構成】 p型半導体基板101上にトンネル絶縁膜102を介して設けられ、信号電荷を保持する電気的に浮游した信号蓄積電極103と、この信号蓄積電極103の上部に容量結合絶縁膜104を介して形成され信号蓄積電極103と容量的に結合した制御電極105と、信号蓄積電極103の下部の半導体基板101の一部をチャネルとする検出トランジスタと、この検出トランジスタの微弱出力を増幅するセンスアンプとからなるEEPROMにおいて、チャネル部分がn型の不純物拡散層1で形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を介して設けられ、信号電荷を保持する電気的に浮游した第1の電極と、この第1の電極の上部に第2の絶縁膜を介して形成され第1の電極と容量的に結合した第2の電極と、第1の電極の下部の半導体基板の一部をチャネルとする検出トランジスタと、この検出トランジスタの微弱出力を増幅するセンスアンプとからなる半導体記憶装置において、前記チャネル部分がn型の不純物拡散層で形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434