特許
J-GLOBAL ID:200903097310309671

日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法とこの製造方法により得られた微粒子を用いた日射遮蔽膜形成用塗布液

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上田 章三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-060204
公開番号(公開出願番号):特開2002-265236
出願日: 2001年03月05日
公開日(公表日): 2002年09月18日
要約:
【要約】【課題】 可視光透過率80%以上のときの日射透過率が70%未満でヘイズ値が1%未満である日射遮蔽膜を形成可能な日射遮蔽膜形成用微粒子を従来よりも短時間で製造できる日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法等を提供すること。【解決手段】 この日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法は、平均粒径が100nm以下のインジウム錫酸化物微粒子とタングステン酸化物微粒子またはレニウム酸化物微粒子とを混合し、アルコ-ルを含む不活性ガス雰囲気下または還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で加熱処理することを特徴とし、加熱処理時において錫含有酸化インジウム微粒子に添加された上記タングステン酸化物微粒子またはレニウム酸化物微粒子の触媒作用により従来よりも短時間で日射遮蔽膜形成用微粒子を製造することが可能となる。
請求項(抜粋):
日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法において、平均粒径が100nm以下のインジウム錫酸化物微粒子とタングステン酸化物微粒子またはレニウム酸化物微粒子とを混合し、アルコ-ルを含む不活性ガス雰囲気下、または、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で加熱処理することを特徴とする日射遮蔽膜形成用微粒子の製造方法。
IPC (7件):
C03C 17/25 ,  C09D 5/32 ,  C09D 7/12 ,  C09D201/00 ,  G02B 5/26 ,  B05D 7/24 303 ,  C03C 17/32
FI (7件):
C03C 17/25 A ,  C09D 5/32 ,  C09D 7/12 ,  C09D201/00 ,  G02B 5/26 ,  B05D 7/24 303 B ,  C03C 17/32 A
Fターム (56件):
2H048FA04 ,  2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA12 ,  2H048FA18 ,  4D075BB21Z ,  4D075BB70Z ,  4D075CA18 ,  4D075CA23 ,  4D075CA32 ,  4D075CA40 ,  4D075CA47 ,  4D075CB06 ,  4D075CB40 ,  4D075DA06 ,  4D075DA23 ,  4D075DB13 ,  4D075DB31 ,  4D075DC01 ,  4D075DC11 ,  4D075DC19 ,  4D075DC24 ,  4D075DC38 ,  4D075EA10 ,  4D075EA17 ,  4D075EA19 ,  4D075EB02 ,  4D075EB22 ,  4D075EB33 ,  4D075EB43 ,  4D075EB56 ,  4D075EC02 ,  4D075EC07 ,  4D075EC53 ,  4D075EC54 ,  4D075EC60 ,  4G059AA01 ,  4G059AA04 ,  4G059AA07 ,  4G059AC06 ,  4G059EA01 ,  4G059EA03 ,  4G059EB05 ,  4G059FA15 ,  4G059FA28 ,  4G059FA29 ,  4G059FB05 ,  4J038CG001 ,  4J038DB001 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DM021 ,  4J038EA011 ,  4J038HA216 ,  4J038KA06 ,  4J038NA19
引用特許:
審査官引用 (2件)

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