特許
J-GLOBAL ID：200903097310321825

半導体装置及びその製造方法

発明者：
石尾 俊也

石尾 俊也 について

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中西 宏之

中西 宏之 について

, 
森 勝信

森 勝信 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233551
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050647
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 濡れ性が良好な金属を用いて外部接続用端子の良好な接続信頼性を確保しつつ、外部接続用端子近傍に空隙が生じることによる信頼性の低下を防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上には、電極パッド2と、電極パッド2を露出させるような第1開口部3cを有する第1の絶縁層3とが形成されている。第1の絶縁層3上には配線6が設けられ、その上面及び側面は第2の絶縁層8に覆われている。また、第2の絶縁層8は配線6上に配線6上面を露出させる第2開口部8aを有し、配線6のうち、第2開口部8aから露出した領域上には第3の金属層7が形成されている。また、第3の金属層7を介して、配線6は外部接続用端子9に接続されている。
請求項（抜粋）：
一端が電極パッドと電気的に接続された主導体層と、該主導体層上に開口部を有する絶縁層と、該開口部を介して上記主導体層と電気的に接続された突起電極とを有する半導体装置において、上記開口部より露出した上記主導体層上に、上記主導体層と上記突起電極との間に介在する金属層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 501
FI (5件)：
H01L 23/12 501 C ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 603 B
Fターム (22件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033RR04 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00
引用特許：
審査官引用 (5件)
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