特許

J-GLOBAL ID：200903097310721963

MIS構造を内蔵するHEMT

発明者： 樹神 雅人 ,  林 栄子 ,  上杉 勉 ,  杉本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336208
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147593
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】 ノーマリオフで動作するMIS構造を有するHEMTを提供すること。【解決手段】 HEMT10は、ドレイン電極に電気的に接続するドレイン領域32と、ソース電極に電気的に接続するソース領域34と、ドレイン領域32とソース領域34の間に形成されている第1半導体領域22と、第1半導体領域22の表面の一部にゲート絶縁膜42を介して対向しているゲート電極42を有するMIS構造40と、第1半導体領域22の表面の残部に接しているとともに第1半導体領域22のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2半導体領域24を有するヘテロ構造を備えている。ドレイン領域32とソース領域34は、MIS構造40とヘテロ構造を直列に配置した構造で接続されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高電位側電極に電気的に接続されている高電位側領域と、 低電位側電極に電気的に接続されている低電位側領域と、 高電位側領域と低電位側領域の間に形成されている第1半導体領域と、 第1半導体領域の表面の一部に絶縁体領域を介して対向しているゲート電極を有するMIS構造と、 第1半導体領域の表面の残部に接しているとともに第1半導体領域のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2半導体領域を有するヘテロ構造を備えており、 高電位側領域と低電位側領域がMIS構造とヘテロ構造を直列に配置した構造で接続されていることを特徴とするHEMT。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/12

FI (8件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L27/08 102A ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 654Z

Fターム (36件)：

5F048AC09 ,  5F048BA15 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC09 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102GR12 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F140AC16 ,  5F140AC23 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB01 ,  5F140BB04 ,  5F140BB18 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG28 ,  5F140BH30 ,  5F140BK13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-137458   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-083195   出願人：株式会社東芝