特許
J-GLOBAL ID：200903097327333177
アクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191775
公開番号（公開出願番号）：特開平11-024105
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス表示装置において、画素マトリクス、周辺駆動回路と同一基板上に、イメージセンサを設ける。【解決手段】 画素電極223と、画素電極223に接続された画素TFT200と、画素TFT200を駆動するためのCMOS-TFT400とが形成された基板100上にイメージセンサを作製する。イメージセンサの受光部は光電変換層322を有する受光素子320と受光部TFTとを有する。TFT200、300、400は同一の工程で作製される。また、受光素子320の下側電極321、透明電極323はそれぞれ、画素マトリクスに配置された遮光膜221、画素電極223と同じ出発膜をパターニングすることによって作製される。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスと、前記第1のアクティブ素子を駆動する周辺駆動回路とが同一基板上に設けられたアクティブマトリクス型表示装置において、前記基板上には、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子とを有する受光部と、前記第2のアクティブ素子を駆動する駆動回路とを有するイメージセンサが設けられ、前記光電変換素子は、第1の電極と、第1の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2の電極とを有し、前記第1の電極および前記第2の電極は、前記画素マトリクスに形成された導電膜と同じ出発膜でなることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 B
