特許

J-GLOBAL ID：200903097328166240

基体の製造方法、レーザ加工装置、およびTFT基板の製造方法、多層構造基板の製造方法、並びに液晶表示装置の製造方法

発明者： 黒木 泰宣
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151413
公開番号（公開出願番号）：特開2007-319880
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】レーザ光を用いて基体を切断・分割する製造方法において、基体表面にごみなどが付着していたとしても、基体を精度よく切断・分割することが可能な基体の製造方法を提供する。【解決手段】基体としての基板Pの製造方法は、基体Pに膜48を形成する工程と、膜48にレーザ光45を照射させて、膜48を蒸散させ、膜除去部49を形成する工程と、膜除去部49と接続するようにレーザ光45をさらに照射させて、基体Pに材料変質部47を形成する工程と、膜除去部49の膜残渣48bを検出する膜残渣検出工程と、基体Pに応力Fを加えて、分割片Qを形成する工程と、を備えている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基体の製造方法であって、 前記基体に膜を形成する工程と、 前記膜にレーザ光を照射させて、前記膜を蒸散させ、膜除去部を形成する工程と、 前記膜除去部に接続するように前記レーザ光をさらに照射させて、前記基体に材料変質部を形成する工程と、 前記膜除去部の膜残渣を検出する膜残渣検出工程と、 前記基体に応力を加えて、分割片を形成する工程と、 を備えていることを特徴とする基体の製造方法。

IPC (7件)：

B23K 26/38 ,  B28D 5/00 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/18 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133

FI (7件)：

B23K26/38 ,  B28D5/00 Z ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/18 ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500

Fターム (26件)：

2H088FA06 ,  2H088FA07 ,  2H088FA11 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JB04 ,  2H090JC13 ,  2H090JC18 ,  2H090LA04 ,  3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069CA11 ,  3C069EA02 ,  4E068AA01 ,  4E068AE00 ,  4E068CE02 ,  4E068CF00 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12 ,  4E068DB13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レーザ加工方法及びレーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278790   出願人：浜松ホトニクス株式会社