特許

J-GLOBAL ID：200903097387258107

放射線検出装置

発明者： 佐藤 賢治 ,  徳田 敏
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 喜多 俊文 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133575
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】放射線感応型半導体膜表面に形成した電圧印加電極端縁部の電界集中による貫通放電を阻止し、安定した検出動作を長期保証できる放射線検出装置を提供する。【解決手段】大面積化適性を有する放射線感応型アモルファス半導体厚膜1と電圧印加電極2の端縁部2Aの間に、高耐圧の絶縁性物質3を形成する。その結果、電圧印加電極端縁部2Aへの電界集中がなくなり、貫通放電の前段現象や、放電破壊が起こらなくなる。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積用のコンデンサと電荷読み出し用のスイッチ素子とが形成された絶縁性の基板と、前記絶縁性の基板上に形成され、前記電荷蓄積用コンデンサと電気的に接続されたキャリア収集電極と、前記キャリア収集電極上に形成され、放射線の入射により電荷移動媒体(キャリア)が生成される放射線感応型の半導体厚膜と、前記半導体厚膜の表面に形成された電圧印加電極からなり、放射線照射により前記半導体厚膜で生成され、前記電荷蓄積用コンデンサに蓄積された電荷が、前記スイッチ素子を経由して放射線検出信号として読み出されるよう構成された放射線検出装置において、前記半導体厚膜と前記電圧印加電極の端縁部との間に、高耐圧の絶縁性物質を形成したことを特徴とする放射線検出装置。

IPC (6件)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/30 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

G01T 1/24 ,  H04N 5/30 ,  H04N 5/335 E ,  H01L 31/00 A ,  H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K

Fターム (32件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL11 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5C024AX11 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31 ,  5F088AA11 ,  5F088AB09 ,  5F088BA13 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088FA20 ,  5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 放射線検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240026   出願人：株式会社島津製作所, 新電元工業株式会社, 山梨電子工業株式会社