特許
J-GLOBAL ID：200903097395909257

低誘電率磁性体磁器材料及びその製造方法

発明者：
北原 直人

北原 直人 について

, 
阿部 一智

阿部 一智 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287919
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100510
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率を10以下に低くして1以上の比透磁率を得る。低誘電率磁性体磁器材料を960°C以下の温度で大気雰囲気で焼結してAg100%の内部導体を形成する。被焼成物の粒界における反応生成物が比較的少なく所期の磁気特性を得る。【解決手段】 SiO2を主成分とする誘電体磁器材料と、Ni-Zn-Cu系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料とを混合して焼成してなる低誘電率磁性体磁器材料である。誘電体磁器材料がその焼結温度より100°C低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体若しくは焼結体粉末であり、磁性体磁器材料が700〜800°Cの温度で仮焼してなる仮焼体粉末である。磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材として40〜60体積%含み、誘電体磁器材料の仮焼体若しくは焼結体粉末を骨材として残部含む。
請求項（抜粋）：
SiO2を主成分とする誘電体磁器材料と、Ni-Zn-Cu系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料とを混合して焼成してなる低誘電率磁性体磁器材料であって、前記誘電体磁器材料がその焼結温度より100°C低い温度ないしその焼結温度で仮焼若しくは焼成してなる仮焼体若しくは焼結体粉末であり、前記磁性体磁器材料が700〜800°Cの温度で仮焼してなる仮焼体粉末であり、前記磁性体磁器材料の仮焼体粉末をマトリックス材として40〜60体積%含み、前記誘電体磁器材料の仮焼体若しくは焼結体粉末を骨材として残部含むことを特徴とする低誘電率磁性体磁器材料。
IPC (5件)：
H01F 1/34 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/14 ,  C04B 35/30 ,  H01F 41/02
FI (5件)：
H01F 1/34 A ,  C04B 35/14 ,  C04B 35/30 C ,  H01F 41/02 D ,  C04B 35/00 J
Fターム (24件)：
4G018AA01 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AA31 ,  4G018AC01 ,  4G030AA27 ,  4G030AA29 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA37 ,  4G030BA01 ,  4G030GA01 ,  4G030GA09 ,  5E041AB14 ,  5E041AB19 ,  5E041AC05 ,  5E041BD01 ,  5E041CA01 ,  5E041HB01 ,  5E041HB03 ,  5E041NN00 ,  5E041NN02 ,  5E041NN18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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