特許

J-GLOBAL ID：200903097409441326

電極基板及び電気光学装置並びに電極基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法

発明者： 藤川 紳介
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324105
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウムを材料とする配線を有する電極基板及び電気光学装置の製造方法において、配線欠陥のない電極基板、表示欠陥がなく表示特性の良い電気光学装置を得る。【解決手段】 基板上60に、半導体層1、これを覆うようにBHFによるエッチングレートが4nm/秒以下のゲート絶縁膜2を形成し、ゲート絶縁膜2上にチタン膜34、アルミニウムを含む膜35、窒化チタン膜36を順次成膜する。その後、チタン膜34とアルミニウムを含む膜35、窒化チタン膜36との積層膜をパターニングして配線33を得る。このようにゲート絶縁膜の膜質を限定することによりチタン膜の結晶配向状態を制御し、結晶方位(111)面に優先配向した結晶性の良い平坦なアルミニウム膜35を成膜できヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された結晶方位面(002)に優先配向したチタン層と、前記チタン層上に形成されることで結晶方位面(111)に優先配向したアルミニウムを含む層とを積層した配線を具備することを特徴とする基板。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/58 G

Fターム (128件)：

2H090HC12 ,  2H090JC07 ,  2H090LA01 ,  2H090LA03 ,  2H090LA04 ,  2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA28 ,  2H092MA30 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD20 ,  4M104DD26 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG19 ,  4M104GG20 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK10 ,  5F033LL07 ,  5F033MM08 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX01 ,  5F033XX16 ,  5F033XX31 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電極基板及び電気光学装置並びに電極基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-318799   出願人：セイコーエプソン株式会社