特許

J-GLOBAL ID：200903097413722143

酸化物半導体発光素子

発明者： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149236
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356196
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】エピタキシャル層の欠陥を低減出来、高信頼性と高発光効率とを有する酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板101とCd0.05Zn0.95O発光層105との間に、Zn2In2O5バッファ層102およびn型ZnOバッファ層103を形成している。このZn2In2O5バッファ層102は、ウルツ鉱型結晶構造を有するZnO系半導体との親和性に優れると共に、低電気抵抗で透明なn型半導体である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、ZnO系半導体から成る活性層が形成された酸化物半導体発光素子において、 上記基板と上記活性層との間に形成され、αβO3(ZnO)nで表されるZnO系半導体(α,β:III族元素、n:1以上の自然数)を含むn型バッファ層を備えたことを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/347

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01S5/347

Fターム (11件)：

5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F073AA45 ,  5F073AA73 ,  5F073CA22 ,  5F073CA24 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-340066   出願人：科学技術振興事業団, 折田政寛, 太田裕道