特許

J-GLOBAL ID：200903068733480156

自然超格子ホモロガス単結晶薄膜とその製造方法

発明者： 細野 秀雄 ,  植田 和茂 ,  折田 政寛 ,  太田 裕道 ,  平野 正浩
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  折田 政寛 ,  太田 裕道
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-137692
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【課題】 薄膜成長法でホモロガス相M1M2O3(ZnO)mを成長させると、蒸気圧の高いZnOの蒸発が顕著に起こり、組成が制御できないことに加え、均質な超格子が形成できない。【構成】 単結晶基板に形成したZnOエピタキシャル薄膜上または該薄膜の消失した該単結晶基板上、あるいはZnO単結晶上にエピタキシャル成長した式M1M2O3(ZnO)m(ただし、M1は、Ga,Fe,Sc,In,Lu,Yb,Tm,Er,Ho及びYのうち少なくとも1種類、M2は、Mn,Fe,Ga,In,Alのうち少なくとも1種類とし、mは、1を含む1以上の自然数)で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜。複合酸化物を堆積し、得られた積層膜を加熱拡散して製造する。本発明の自然超格子ホモロガス単結晶薄膜は、光デバイス、電子デバイス、X線光学デバイスなどに用いられる。

請求項（抜粋）：

ZnOエピタキシャル薄膜上にエピタキシャル成長した式M1M2O3(ZnO)m(ただし、M1は、Ga,Fe,Sc,In,Lu,Yb,Tm,Er,Ho及びYのうち少なくとも1種類、M2は、Mn,Fe,Ga,In,Alのうち少なくとも1種類とし、mは、1を含む1以上の自然数)で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモロガス単結晶薄膜。

Fターム (8件)：

4G077AA03 ,  4G077BC60 ,  4G077DA03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FE02 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-228168   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団