特許

J-GLOBAL ID：200903097414518140

半導体装置およびその製造方法

発明者： 角田 弘昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265061
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085162
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】隣り合う第1のゲート電極間の短絡を防止しつつ構成した構造において、第2のゲート電極の高抵抗化を抑制する。【解決手段】第1の導電層6のゲート下部6aが逆テーパ形状をなしている。このため、隣り合うフローティングゲート電極FG間の短絡を防止することができる。しかも、第1の導電層6のゲート上部6bが順テーパ形状をなしている。このため、第1の導電層6のゲート上部6bの上に第2のゲート絶縁膜7や第2の導電層8が形成されたときに第2の導電層8内にボイドを発生させることなく構成することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数の溝部が表層に形成された半導体基板と、 前記複数の溝部内にそれぞれ埋込まれると共に上部が前記半導体基板の表面から上方に突出して形成された複数の素子分離絶縁膜と、 隣り合う前記複数の素子分離絶縁膜の前記上部間の前記半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極の上に第2のゲート絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極とを備え、 前記第1のゲート電極は、前記第1のゲート絶縁膜に接するゲート下部とこのゲート下部の上に位置しかつ前記第2のゲート絶縁膜に接するゲート上部とからなり、このゲート上部は断面幅寸法が前記ゲート下部方向に向けて広がる順テーパ形状部を備え、前記ゲート下部は断面幅寸法が前記ゲート上部方向に向けて広がる逆テーパ形状部を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/76 L

Fターム (44件)：

5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA49 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA10 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP53 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-197801   出願人：株式会社東芝