特許

J-GLOBAL ID：200903097423333307

プラズマ処理装置及びそれに用いる基板加熱機構

発明者： 山下 潤
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-049909
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266595
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】パーティクル及びコンタミネーションによる汚染を抑制しつつ被処理基板を800°C以上の高温に安定して加熱することができるプラズマ処理装置及び基板加熱機構を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、基板載置台7、支持部8、支持部固定部24を備える。基板載置台7は発熱体74を内蔵する。発熱体74及び電極32は、SiCを含む材料からなり、電極32は、支持部固定部24に固定されるとともに、支持部8を貫通し、かつ先端部が発熱体74に接続されている。そして、石英を含む絶縁材料からなる電極被覆管43が、電極32の先端部以外の部分を被覆し、基板載置台7の発熱体74の下方部分、支持部8、及び支持部固定部24を貫通するように設けられている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容するチャンバと、 前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成機構と、 前記チャンバ内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、 前記チャンバに連設され、前記チャンバを排気する排気機構と、 前記チャンバ内で被処理基板が載置され、載置台本体と前記本体の内部に設けられた基板を加熱する発熱体とを有する基板載置台と、 前記基板載置台を支持する支持部と、 前記支持部を前記チャンバに固定する固定部と、 前記発熱体に電力を供給する電極と を備え、 前記発熱体及び前記電極は、SiCを含む材料からなり、 前記電極は、前記固定部に固定されるとともに、前記支持部を貫通し、かつ先端部が前記発熱体に接続されており、 前記電極の前記先端部以外の部分を被覆し、前記基板載置台の前記発熱体の下方部分、前記支持部、及び前記固定部を貫通するように設けられた、石英を含む絶縁材料からなる電極被覆管をさらに備える、プラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/46 ,  H05B 3/74 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/02

FI (8件)：

H01L21/31 A ,  H01L21/316 A ,  H01L21/318 A ,  H01L21/318 C ,  C23C16/46 ,  H05B3/74 ,  H05B3/14 C ,  H05B3/02 B

Fターム (44件)：

3K092PP20 ,  3K092QB09 ,  3K092QC13 ,  3K092QC34 ,  3K092RF11 ,  3K092VV12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AD12 ,  5F045BB14 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12 ,  5F045EH16 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F045EK09 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045GB05 ,  5F058BA05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• マイクロ波プラズマ基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-322753   出願人：東京エレクトロン株式会社